高 周 波 ス イ ッ チ
高周波 アッテネータ

PINダイオードは、GaAs MMICと比較して大電力信号においても歪みが非常に小さく、静電気破壊も起こしません。

この特性を活かした
KRFMのRFスイッチ/アッテネータは、独自の回路技術によるハイブリッドICのため、 周波数、耐電力、使用電圧、挿入損失、減衰量といった様々な要求仕様に応えたOEM設計が可能です。

使用 (中心) 周波数は、10GHzまでの範囲で、お客様の指定が可能です。
また、高周波特性に優れた小型 LGA (Land Grid Array)パッケージや、モノリシックICと同じ条件で実装できるSSOPパッケージなど、 各種パッケージによる設計が可能です。




主なタイプ
広帯域タイプ  広帯域にインピーダンス整合が可能な π型アッテネータ回路に、
 独自のdBリニア・コントロール回路や温度補償回路などを組み
 合わせたタイプです。
狭帯域・
低損失タイプ
 PINダイオードとLC回路の共振を利用した独自回路方式により、
 低損失・高アイソレーションを実現したタイプです。
 1コントロール入力で送受信の切り替えが可能なT/Rスイッチや、
 信号通過時にRF信号が半導体素子を通らない超低歪み設計も
 可能です。

仕様およびパッケージ例
  仕  様 パッケージタイプ
OEM受注例 0.8〜5.8GHz 広帯域アッテネータ
KATC-0814
小型LGAパッケージ
6.5(W) x 5.0(L) x 2.5(H) mm
開発事例 5.3GHz帯 SPDTスイッチ 超小型LGAパッケージ
2.2(W) x 1.6(L) x 1.3(H) mm
2.3GHz帯 T/Rスイッチ SSOP-8パッケージ
6.4(W) x 3.12(L) x 1.5(H) mm
2.1GHz帯 低損失アッテネータ 低背型SMDパッケージ
6.5(W) x 5.0(L) x 1.2(H) mm





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